新一代的電力電子半導體器件-氮化镓器件---GaN Systems亞太區總監Charles Bailley學術報告
2016年12月18日，GaN Systems亞太區技術總監Charles Bailley在中遠報告廳為我校師生作了精彩報告-“GaN E-HEMT器件原理及其應用”。
GaNGaN器件是一種寬禁帶半導體器件，具有卓越的電氣和熱特性，被認為最有可能替代Si MOSFET器件的新一代半導體器件。Charles Bailley博士介紹了 GaN器件的基本原理📋、驅動設計👨🏼✈️、熱設計、電氣保護及應用。Charles Bailley博士的報告受到師生一致好評。
意昂4副院長許曉彥教授主持並與學生共同交流。
